已获美光使用泛林集团推出全球首台钼原子层堆积设备ALTUS Halo

  泛林集团推出全球首个钼金属ALD设备ALTUS Halo，下降电阻率，优化芯片功能，满意先进半导体需求，引领金属化技能新时代。

  全球半导体设备巨子泛林集团（Lam Research）于2月19日正式推出全球首个根据金属钼（Mo）的原子层堆积（ALD）设备——ALTUS Halo。该设备经过高精度堆积技能，为先进半导体器材供给无空地钼金属化处理方案，显着下降电阻率并优化特征填充功能，标志着半导体金属化技能迈入新时代。

  跟着人工智能、云核算及智能设备对芯片功能需求激增，传统钨（W）金属化技能面对瓶颈。虽然泛林集团的钨基ALD技能在曩昔二十余年主导了半导体触摸与布线工艺，但纳米级芯片架构的复杂化（如1000层3D NAND、4F2 DRAM及盘绕栅极逻辑器材）要求更低的电阻率和更高的集成功率。

  钼凭仗其电阻率较钨低50%以上的特性，成为抱负代替资料。此外，钼无需粘附层或阻挡层，可削减工艺过程，提高芯片制作功率与信号传输速度。ALTUS Halo经过立异的四站模块架构和热/等离子体工艺灵活性，完成了钼的大规模量产级堆积，满意先进逻辑、存储芯片的扩展需求。

  现在，ALTUS Halo已进入量产阶段，并获韩国、新加坡等地的抢先3D NAND制作商及逻辑晶圆厂选用，

  美光（Micron）NAND开发副总裁Mark Kiehlbauch表明，ALTUS Halo助力其最新NAND产品完成职业抢先的I/O带宽与存储容量，验证了钼金属化的量产可行性。

  泛林集团高档副总裁Sesha Varadarajan着重：“ALTUS Halo是ALD范畴二十余年来最严重的打破，将推进半导体职业从钨向钼的转型，为未来十年芯片立异奠定根底。”

  ALTUS Halo的推出不只处理了当时3D集成中的电信号瓶颈问题，还为下一代智能设备的高功能芯片供给了关键技能途径。跟着AI、无人驾驶等使用对算力需求的迸发，钼金属化技能或将成为半导体制作的新标准，进一步稳固泛林集团在堆积设备商场的领导地位。