美国光刻技能打破：EUV光源功率提高十倍芯片制作迎来新纪元

  美国劳伦斯利弗莫尔国家试验室（LLNL）近来宣告，经过数十年的研讨，该试验室再次在半导体范畴获得重大打破，特别是在光刻技能上。这一打破得益于新开发的大口径铥（BAT）激光体系，它有望将极紫外（EUV）光源的功率提高至当前行业标准的十倍，然后明显提高芯片制作的速度和下降能耗。

  此项研讨是美国能源部（DOE）推出的极紫外光刻与资料立异中心（ELMIC）的一部分，获得了1.79亿美元的资金支撑。ELMIC专心于推进微电子体系中的基础科学前进，LLNL主导的为期四年的项目耗资1200万美元，旨在深入研讨EUV光源的制作功率，推进下一代“逾越EUV”的光刻体系。

  该技能的中心在于每秒数万滴锡的激光照耀，构成光子并将其引导至光刻胶层，以刻制微观集成电路图画。LAB激光体系经过使用特定的增益介质来增强激光束的功率和强度，其共同波长约为2微米，与现在干流的激光技能天壤之别。

  LLNL的科学家们指出，这一项意图成功将对当今人工智能、高性能核算及智能手机等多个范畴的硬件立异发生深远影响。这项研讨不仅是半导体制作功率的一次腾跃，更将为完成更小更强壮的芯片介入世界科学技能的前沿。

  在未来的几个月中，研讨团队将在“木星激光设备”进行很多试验，以验证新技能的实践体现。跟着这一技能的不断老练，估计将有用推进全球芯片工业的逐渐开展，协助美国持续在世界半导体竞赛中坚持领头羊。回来搜狐，检查更加多